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1. 石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究
魏子钧,王志刚,李晨,郭剑,任黎明,张朝晖,傅云义,黄如
北京大学学报(自然科学版)   
摘要884)      PDF(pc) (999KB)(1039)    收藏
采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管, 并研究其光电响应特性。结果表明, 当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时, 可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应, 可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下, 光电流出现饱和现象, 石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5 μA /W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。
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2. CmDSP: 一种可配置媒体数字信号处理器
胡子一,赵勇, 王新安,王腾,谢峥,黄如,张兴
北京大学学报(自然科学版)   
3. 3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器设计
宋睿丰,廖怀林,黄如,王阳元
北京大学学报(自然科学版)   
摘要772)      收藏
采用标准0.35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1~10.6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器。在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5V,电流消耗为4.38mA。
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4. 一种用于剂量效应模拟的新型分子动力学统计噪声改进算法
施小康, 石浩, 于民, 黄如, 张兴
北京大学学报(自然科学版)   
摘要559)      收藏
提出了一种用于分子动力学(MD)模拟晶体靶材料中离子注入的加速算法。READE(包含剂量效应的稀有事件算法)方法可以很好的加速含剂量效应的离子注入的分子动力学模拟。在保证高精度和剂量效应的同时,模拟的时间大幅度减小。同时,在模拟中许多导致统计噪声的细节在READE中被考虑进来,并使得READE更加合理和可信。
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5. 低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟
万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元
北京大学学报(自然科学版)   
摘要504)      收藏
推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系,模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表明,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感。这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路。
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